半导体分析能力（DPAFAMA)

破坏性物理分析 (DPA)
01 使用前及时发现产品隐含缺陷
02 提供选用高可靠元器件的依据保证整机设备的可靠性
03 判断批次产品的品质
04 判断电子元器件产品的工艺、结构、设计和材料是否合格
实验室拥有全套专用设备执行各类元器件破坏性物理分析
• 外部目检visual inspection                          
• X光检查X-ray inspection
• 粒子噪声PIND
• 物理检查physical check
• 气密性检查airproof check
• 内部水汽internal vapor analysis
• 开封 decap
• 内部目检internal inspection
• 电镜能谱SEM/EDAX
• 超声波检查C-SAM
DPA主要分析项目
• 引出端强度terminal strength
• 拉拔力 pull test
• 切片cross-section
• 粘结强度attachment’s strength
• 钝化层完整性integrality inspection for glass passivation
• 制样镜检sampling with microscope
• 引线键合强度bonding strength
• 接触件检查contact check
• 剪切强度测试shear test
能力覆盖GJB597B、GJB7400、GJB2438、GJB7677、
GJB548、GJB4027、GJB33、GJB128、GJB360等关
于集成电路、混合集成电路、BGA封装、分立器件和元
件的鉴定、失效分析、破坏性物理分析、质量一致性检
验和筛选各流程的所有物理分析试验能力
失效分析 (FA)
拥有30台套专用设备，执行GJB548相关标准，对各类失效元器件进行失效定位和分析
热点定位后，采用反应离子刻蚀、化学腐蚀和研磨，对芯片的钝化层、金属层、介质层进行去层逐层观察器件的失效点形貌，分析其形成原因。

材料分析 (MA)
可为晶圆厂提供14nm制程的TEM分析服务：每天不少于20颗，保证48H内交付结果
工艺结构分析 Morphology Analysis
SEM/DB FIB/TEM
元素成分分析 Element Analysis
EDS
结构分析 Structure Analysis
FT-IR
TEM/FIB设备
TEM型号：Talos F200X
参数
• 电子枪：X-FEG
   200Kv时亮度1.8*109 [A/cm2/Sr]
• EDS类型/面积：Super-X(120mm2)
• HRTEM信息分辨率：0.12 nm
   HRSTEM分辨率:0.16 nm
DB FIB型号：Helios 5 CX
参数
• 离子源：波态镓离子源
• EDS类型/面积：Ultim Max65/65mm2
• 离子東分辨率：2.5 nm@30Kv
• 电子東分辨率：1.0 nm@1.0 KV,
   0.6nm@15Kv
TEM模式
Image Mode：BF、DF
应用范围：
半导体、光学器件等nm级微结构观察及量测
材料原子级微观结构观察如位错、晶格等观察及量测
STEM模式
Image Mode：HAADF、DF、BF
应用范围：
半导体、光学器件等nm级微结构观察及量测
高分辨原子像

EDS分析
类型：EDS 面扫、线扫、点扫模式
应用范围：
平面及剖面元素成分定性分析、元素分布区域分析、元素组成分析

TEM模式
Image Mode：BF、DF
应用范围：
半导体、光学器件等nm级微结构观察及量测
材料原子级微观结构观察如位错、晶格等观察及量测

技术能力完全覆盖2.5D、3D封装集成电路，成为集成电路行业技术能力领先的企业。

能力覆盖分立器件、集成电路、微波射频器件、第三代半导体。

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